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HYG080NH03LR1C1
此器件为 N 沟道、30V耐压、7.3/8.8mΩ内阻、DFN8L(0303)半桥结构封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/负载开关等应用领域。
特性
优异的Qg
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
DC-DC/同步整流
此器件为 N 沟道、30V耐压、7.3/8.8mΩ内阻、DFN8L(0303)半桥结构封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/负载开关等应用领域。
特性
优异的Qg
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
DC-DC/同步整流
