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MOSFET 第三代半导体 智能功率模块 IGBT 应用方案

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用方案

HYA025N06NS1C2

HYA025N06NS1C2

此器件为60V、2.3mΩ、PDFN8L(5X6)封装产品，采用SGT流片工艺，可应用在锂电保板，电机驱动等领域。

HYA025N06NS1C2产品说明书

特性

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

AEC-Q101 Qualified

优势

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力

易安装

应用

DC-DC、电机驱动、锂电保护

HYA025N06NS1C2

模型