产品与方案

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MOSFET 第三代半导体 智能功率模块 IGBT 应用方案

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用方案

HYA016N04NS6C2

HYA016N04NS6C2

此器件为40V、1.6mΩ、PDFN8L(5x6) 封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足汽车E-Fuse/EPS/刹车等应用

HYA016N04NS6C2产品说明书

特性

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

AEC-Q101 Qualified

优势

通态损耗小

高可靠性

稳定的工艺能力

应用

汽车E-Fuse/EPS/刹车

HYA016N04NS6C2

模型