产品与方案

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MOSFET 第三代半导体 智能功率模块 IGBT 应用方案

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用方案

HYG030N10NS1TT

HYG030N10NS1TT

此器件为100V、2.7mΩ、TOLT封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动等应用领域。

HYG030N10NS1TT产品说明书

特性

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

领先的封装工艺

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力

应用

电机驱动、锂电池保护板，电动工具

HYG030N10NS1TT

模型