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HYG110NE02KA1C6
此器件为20V、9mΩ带有ESD DFN2*2-6L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合高频应用，可满足如小信号开关，信号接口保护等应用领域。
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
高可靠性
抗冲击能力强
应用
单节电池保护板，负载开关
此器件为20V、9mΩ带有ESD DFN2*2-6L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合高频应用，可满足如小信号开关，信号接口保护等应用领域。
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
高可靠性
抗冲击能力强
应用
单节电池保护板，负载开关
