产品与方案

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MOSFET 应用方案

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单N

MOSFET
应用方案

HYG032N03LR1C1

HYG032N03LR1C1

此器件为30V、3.3mΩ、 DFN3*3-8L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如输出保护等应用领域。

HYG032N03LR1C1产品说明书

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

高可靠性

抗冲击能力强

应用

锂电池保护板、AC-DC电源、电源输出保护等。

HYG032N03LR1C1

模型