产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

MOSFET 应用方案

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单N

MOSFET
应用方案

HY1904B

HY1904B

此器件为 40V、4.7mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如电池管理系统，LED电源板，小马达驱动等应用领域。

HY1904B产品说明书

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗冲击能力强

应用

锂电池保护板、LED电源板。

HY1904B

模型