产品与方案

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MOSFET 应用方案

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单N

MOSFET
应用方案

HY1904P

HY1904P

此器件为40V、4.7mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如锂电池保护板、DC-DC等应用领域

HY1904P产品说明书

特性

此器件为40V、4.7mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如锂电池保护板、DC-DC等应用领域

优势

稳定的工艺能力

应用

锂电保护板，DC-DC

HY1904P

模型