语言
HYG030N02KQ1D
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应用领域。
特性
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
稳定的工艺能力
优势
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
应用
锂电池保护板/负载开关/太阳能控制器
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应用领域。
特性
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
稳定的工艺能力
优势
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
应用
锂电池保护板/负载开关/太阳能控制器
