产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

MOSFET 第三代半导体 智能功率模块 IGBT 应用方案

首页 - 产品与方案 - MOSFET - N MOSFET - 单N

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用方案

HY1503C2

HY1503C2

此产品已停售，请选用HYG045P03LQ1C2

HY1503C2产品说明书

特性

优异的Qg

低输入电容

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

提升系统效率

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力

应用

负载开关/DC-DC/同步整流/电机驱动

HY1503C2

模型