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HYG200N12NS1P
此器件为 120V、15mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如AC-DC/DC-DC电源方案等应用领域
特性
低内阻
优异的QG
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
通态损耗小
优异的导热及散热性能力
高可靠性性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
BMS
此器件为 120V、15mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如AC-DC/DC-DC电源方案等应用领域
特性
低内阻
优异的QG
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
通态损耗小
优异的导热及散热性能力
高可靠性性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
BMS
