产品与方案

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MOSFET 第三代半导体 智能功率模块 IGBT 应用方案

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用方案

HYG018N10NS1P

HYG018N10NS1P

此器件为100V、1.8mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动，等应用领域

HYG018N10NS1P产品说明书

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

提升系统效率

领先的封装工艺

优势

抗冲击能力强

通态损耗小

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力

应用

BMS /电机驱动

HYG018N10NS1P

模型