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HYG085N04LA1D
此器件为40V、8.3mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合锂电保护板、PD电源VBUS保护等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
通态损耗小
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
BMS 、VBUS保护
此器件为40V、8.3mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合锂电保护板、PD电源VBUS保护等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
通态损耗小
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
BMS 、VBUS保护
