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HYG028N10NS1B6
此器件为100V N管2.4mΩ内阻、TO-263-6L封装产品，芯片采用SGT工艺设计。该器件抗冲击能力强，可满足电机控制，锂电池保护板等应用领域
特性
低内阻
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
电机控制/BMS
此器件为100V N管2.4mΩ内阻、TO-263-6L封装产品，芯片采用SGT工艺设计。该器件抗冲击能力强，可满足电机控制，锂电池保护板等应用领域
特性
低内阻
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
电机控制/BMS
