产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

单N

HYG060N15NS1B

HYG060N15NS1B

此器件为150V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合控制器,逆变器等应用领域。

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

101% UIL测试




优势

通态损耗小    

抗冲击能力强   

优异的导热及散热性能力 

稳定的工艺能力



应用

锂电保护、控制器、逆变器   

HYG060N15NS1B

模型