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HYG090P03LA1C1
此器件为 P 沟道、-30V耐压、7.9mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
特性
低内阻
优异的Qg
低FOM
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关，DC-DC，电池保护板
此器件为 P 沟道、-30V耐压、7.9mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
特性
低内阻
优异的Qg
低FOM
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关，DC-DC，电池保护板
