产品与方案

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MOSFET 应用方案

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单P

MOSFET
应用方案

HYG060P04LQ1D

HYG060P04LQ1D

此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。

HYG060P04LQ1D产品说明书

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

领先的封装工艺

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

高可靠性

稳定的工艺能力

应用

负载开关，DC-DC，电池保护板

HYG060P04LQ1D

模型