技术特点
● 开发SiC、GaN晶圆划片技术;
● 软焊料以及高导热烧结纳米银浆的运用;
● DBC多芯片堆叠封装技术;
● 高性能铜片、铝带焊接以及混合焊接的技术;
● SiC超薄芯片的封装技术;
● 产品电压能做到3300V,达到AECQ101的考核标准;
● 使用高可靠的绿色环保型塑封料。
应用领域
第三代半导体应用于手机充电器、5G基站、电动汽车、军事领域等。

| 封装名称 | 封装外形 | 封装名称 | 封装外形 |
|---|---|---|---|
| TO-220 | ![]() |
TO-3P | ![]() |
| TO-263 | ![]() |
TO-247 | ![]() |
| TO-220F | ![]() |
TO-264 | ![]() |
| 封装名称 | 封装外形 |
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| TO-3P | ![]() |
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