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HYG018N03LS1D
此器件为N 沟道、30V耐压、内阻1.7mΩ、TO-252-2L封装产品，芯片采用SGT工艺设计，该器件适合高频应用，可满足如AC-DC同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换、电池保护等应用领域。
特性
低内阻
优异的FOM值
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
开关频率高
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易安装
应用
BMS
此器件为N 沟道、30V耐压、内阻1.7mΩ、TO-252-2L封装产品，芯片采用SGT工艺设计，该器件适合高频应用，可满足如AC-DC同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换、电池保护等应用领域。
特性
低内阻
优异的FOM值
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
开关频率高
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易安装
应用
BMS
