产品与方案

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SGT MOSFET

HYG090N06LS1S

HYG090N06LS1S

此器件为N 沟道、60V耐压、内阻8.6mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻      

优异的FOM值

低输入电容

符合RoHS标准  

100%  DVDS测试

100% UIL测试 

领先的封装工艺 



优势

通态损耗小    

开关频率高   

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

高功率密度  

稳定的工艺能力    

驱动损耗低

易安装



应用

AC-DC/DC-DC电源板

PD电源同步整流

LED电源板

HYG090N06LS1S

模型