产品与方案

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SGT MOSFET

HYG065N07NS1B

HYG065N07NS1B

此器件为70V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

电动车控制器,锂电池保护板   

HYG065N07NS1B

模型