产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

首页 - 产品与方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

HYG180N10LS1P

HYG180N10LS1P

此器件为 100V、16.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性



应用

AC-DC/DC-DC电源板

HYG180N10LS1P

模型