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SGT MOSFET

HYG023N04LS1D

HYG023N04LS1D

此器件为 40V、2mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

100% DVDS测试

100% UIL测试




优势

通态损耗小 

开关损耗低



应用

同步整流、电动工具

HYG023N04LS1D

模型