产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

首页 - 产品与方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

HYG060N08NS1B

HYG060N08NS1B

此器件为80V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻 

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

电机驱动,锂电池保护板  

HYG060N08NS1B

模型