语言
HYG050N08NS1B
此器件为80V、4.0mΩ、TO-263-2L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合较高频率应用，可满足同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换等应用领域。
特性
低内阻
优异的QG
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
驱动损耗低
通态损耗小
抗冲击能力强
稳定的工艺能力
高可靠性
应用
电动车控制器，锂电池保护板
此器件为80V、4.0mΩ、TO-263-2L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合较高频率应用，可满足同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换等应用领域。
特性
低内阻
优异的QG
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
驱动损耗低
通态损耗小
抗冲击能力强
稳定的工艺能力
高可靠性
应用
电动车控制器，锂电池保护板
