产品与方案

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SGT MOSFET

HYG032N08NS1P

HYG032N08NS1P

此器件为80V、3.0mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

驱动损耗低

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

电动车控制器,锂电池保护板,逆变器

HYG032N08NS1P

模型