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SGT MOSFET

HYG035N06LS1C2

HYG035N06LS1C2

此器件为65V、2.9mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如电机驱动、锂电池保护板等应用领域

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试    




优势

通态损耗小 



应用

 电动工具、锂电保护板

HYG035N06LS1C2

模型