产品与方案

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SGT MOSFET

HYG037N10LS2B

HYG037N10LS2B

此器件为100V、3.4mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如保护板等应用领域。

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

锂电池保护板  

HYG037N10LS2B

模型