产品与方案

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SGT MOSFET

HYG028N10NS1B

HYG028N10NS1B

此器件为 100V、2.6mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机、锂电池保护板等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100%  DVDS测试



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性性

抗冲击能力强



应用

BMS   

HYG028N10NS1B

模型