产品与方案

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SGT MOSFET

HYG080N10LS1C2

HYG080N10LS1C2

此器件为 100V、6.9mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻     

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准 

100%  DVDS测试

100% UIL测试




优势

通态损耗小   

抗冲击能力强  

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度 

稳定的工艺能力    

驱动损耗低

易安装



应用

   PD电源、AC-DC/DC-DC电源板

HYG080N10LS1C2

模型