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SGT MOSFET

HYG054N09NS1B

HYG054N09NS1B

特性低内阻优异的QG低输入电容符合RoHS标准100% DVDS测试优势通态损耗小稳定的工艺能力高可靠性抗冲击能力强应用电动车控制器、太阳能控制器

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100%  DVDS测试



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗冲击能力强



应用

电动车控制器、太阳能控制器   

HYG054N09NS1B

模型