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HYD32525D
HYD32525 是一款可驱动高端和低端 N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片，可用于同步降压和半桥拓扑中。高端悬浮电压的工作电压可以高达 120V，最高工作频率可以达 200KHz。
特性
电源电压工作范围为7.5V~18V
悬浮电压最高120V
输出电流能力：+2.5A/-2.5A
优势
兼容3.3V、5V逻辑输入
电源电压和悬浮电压欠压关断功能
闭锁功能，防止上、下输出管同时导通
内建死区控制电路
应用
电机驱动器/ 全桥、半桥转换器/双开关正激转换器
HYD32525 是一款可驱动高端和低端 N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片，可用于同步降压和半桥拓扑中。高端悬浮电压的工作电压可以高达 120V，最高工作频率可以达 200KHz。
特性
电源电压工作范围为7.5V~18V
悬浮电压最高120V
输出电流能力：+2.5A/-2.5A
优势
兼容3.3V、5V逻辑输入
电源电压和悬浮电压欠压关断功能
闭锁功能，防止上、下输出管同时导通
内建死区控制电路
应用
电机驱动器/ 全桥、半桥转换器/双开关正激转换器
