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HYG130ND03LR1C2
此器件为30V 双N结构、11mΩ、PDFN8L（5x6）封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合DC-DC/无线充应用领域
特性
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
提升系统效率
优势
开关损耗低
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
无线充/DC-DC
此器件为30V 双N结构、11mΩ、PDFN8L（5x6）封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合DC-DC/无线充应用领域
特性
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
提升系统效率
优势
开关损耗低
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
无线充/DC-DC
