语言
HYG850PD02KA1C6
此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、信号驱动等应用领域。
特性
低内阻
优异的Qg
低FOM
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关/ 信号驱动
此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、信号驱动等应用领域。
特性
低内阻
优异的Qg
低FOM
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关/ 信号驱动
