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HYG170C03LR1S
此器件为30V N+P结构、12.9/21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等应用领域。
特性
低内阻
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
电机驱动/无线充/DC-DC
此器件为30V N+P结构、12.9/21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等应用领域。
特性
低内阻
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
电机驱动/无线充/DC-DC
