半桥_N+P MOSFET_MOSFET_产品与方案_产品_华羿微电子股份有限公司

产品与方案

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产品筛选返回列表

半桥

产品筛选

Vds Min (V)

-125
-100
-60
-40
-30
-20
20
25
30
40
45
60
65
68
70
80
85
90
100
115
120
125
135
150
200
500
650

清除所有条件

ID@TC=25℃

清除所有条件

RDS(on) Max 10V(mΩ)

清除所有条件

RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

清除所有条件

PD@TC=25℃ (W)

清除所有条件

Vgs(±V)

清除所有条件

Vth (V)

清除所有条件

Ciss Typ(pF)

清除所有条件

Qg Typ(nC)

清除所有条件

Configuration

清除所有条件

Package

清除所有条件

Application

清除所有条件

Part

Vds Min (V)

ID@TC=25℃

RDS(on) Max 10V(mΩ)

RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

PD@TC=25℃ (W)

Vgs(±V)

Vth (V)

Ciss Typ(pF)

Qg Typ(nC)

Configuration

Package

Application

同类型号

Status

HYG190C04LR1S

40 / -40

9 / 7

21 / 37

27 / 62

3

20

1~3/-1~-3

553

14

N+P

SOP8L

电动工具

HYG190C04LR1S

产品特性：

此器件N管为40V、18mΩ、P管为-40V、31mΩ、SOP8L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可用在电动工具等应用领域。

HYG150C04LR1C2

40 / -40

32 / -33

13.8 / 20

16.5 / 31

30

20

1~1.8

1088

25.4

N+P

PDFN8L(5x6)

电动工具

HYG150C04LR1C2

产品特性：

此器件N管为40V、11.5mΩ、P管为-40V、17.2mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可用在电动工具等应用领域。

HYG350C06LA1S

60 / -60

6.3 / -4.8

32 / 55

36 / 70

3

20

1~3/-1~-3

1041/951

19.3/25.1

N+P

SOP8L

电机驱动

MP

HYG350C06LA1S

产品特性：

此器件为60VN+P、N管32mΩ，P管55mΩ、SOP8L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如风机控制，电机驱动等应用领域的需求

HYG190C04LA1C2

-40 / 40

22.2 / -16

21.8 / 41.6

30.2 / 54.1

21.4

20

1~3

995

13.6

N+P

PDFN8L(5x6)

电机驱动 / DC-DC

MP

HYG190C04LA1C2

产品特性：

此器件为40V N+P结构、15.7/33.1mΩ内阻、PDFN5*6封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等...

HYG110C03LR1D4

30 / -30

25 / -17

12 / 26

17 / 55

21

20

1~3

762

15.9

N+P

TO-252-4L

电机驱动

MP

HYG110C03LR1D4

产品特性：

此器件为30V N+P结构、9.0/21mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足云台、风机控制、按摩椅等...

HYG170C03LR1D4

30 / -30

22 / -18

17.5 / 27

27.5 / 55

21.4

20

1~3/-1~-3

408

9.2

N+P

TO-252-4L

电机驱动 / DC-DC

MP

HYG170C03LR1D4

产品特性：

此器件为30V N+P结构、14/21.5mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等...

HYG170C03LR1C2

-30 / 30

20 / -19

19 / 27

28 / 55

18.7

20

1~3/-1~-3

446

9.2

N+P

PDFN8L(5x6)

电机驱动 / DC-DC / 电源

MP

HYG170C03LR1C2

产品特性：

此器件为30V N+P结构、15/22mΩ内阻、PDFN8L（5x6）双基岛岛封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC...

HYG110C03LR1C2

30 / -30

30 / -19

11

18

25

20

1~3

714

15.9

N+P

PDFN8L(5x6)

电机驱动 / DC-DC / 电源

MP

HYG110C03LR1C2

产品特性：

此器件为30V N+P结构、8.8/22mΩ内阻、PDFN8L（5x6）双基岛岛封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、D...

HYG190C04LA1S

-40 / 40

-6.2 / 9

19

25

3

20

1~3

631

14.3

N+P

SOP8L

电机驱动

MP

HYG190C04LA1S

产品特性：

此器件为 40V SOP8L封装 N+P 结果产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如云台、按摩椅等小动率电机驱动应用领域

HYG170C03LR1S

-30 / 30

-8 / 9.5

16.5 / 30

24.5 / 55

3.0/3.0

20/20

1~3/-1~-3

446/1210

13.7/18.5

N+P

SOP8L

电机驱动 / DC-DC

AOS4606

MP

HYG170C03LR1S

产品特性：

此器件为30V N+P结构、12.9/21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等应用...

HYG190C04LA1D4

-40 / 40

-16.5 / 23

21 / 40

29 / 62

21.4/21.4

20/20

1~3/-1~-3

631/1012

14.3/20.1

N+P

TO-252-4L

电机驱动 / 信号驱动

MP

HYG190C04LA1D4

产品特性：

此器件为40V耐压、17/35mΩ内阻、 TO-252-4L N+P封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动等应用领域。

HYG320C06LA1S

-60 / 60

-4.2 / 7

26 / 71

32 / 89

2.5/2.5

20/20

1~3/-1~-3

1100/890

18/17

N+P

SOP8L

电机驱动 / DC-DC / 信号驱动

MP

HYG320C06LA1S

产品特性：

此器件为60V耐压、19/58mΩ内阻、 SOP8 双通道 N+P封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/负载开...

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