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HYG110C03LR1D4
此器件为30V N+P结构、9.0/21mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足云台、风机控制、按摩椅等应用领域
特性
低内阻
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
云台/风机控制/按摩椅
此器件为30V N+P结构、9.0/21mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足云台、风机控制、按摩椅等应用领域
特性
低内阻
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
云台/风机控制/按摩椅
