产品与方案

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MOSFET 应用方案

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半桥

MOSFET
应用方案

HYG190C04LA1D4

HYG190C04LA1D4

此器件为40V耐压、17/35mΩ内阻、 TO-252-4L N+P封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动等应用领域。

HYG190C04LA1D4产品说明书

特性

优异的Qg

低输入电容

符合RoHS标准

提升系统效率

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

高可靠性

稳定的工艺能力

应用

电机驱动/DC-DC

HYG190C04LA1D4

模型