产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

双P

产品筛选

Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
Ciss Typ(pF)
Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG850PD02KA1C6
-20
-3.5
N/A
95
2
10
-0.4~-1
582
7.2
Dual - P
DFN6L(0202)
负载开关 / 信号驱动
NTLJD3115P
MP
HYG850PD02KA1C6
产品特性:

此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、信号...